學年
|
學生
/
碩論題目
|
98
|
蕭宇晉
/
利用第一原理計算探討氧化鋅磊晶薄膜擇優生長機制與特性
|
98
|
王致皓
/
利用第一原理分子動力學研究奈米碳材儲氫機制與特性
|
98
|
洪永安
/
利用第一原理探討鍺錫化合物半導體之能帶結構與光學特性
|
99
|
吳彥廷
/
利用第一原理計算探討氫氣及氨氣在氧化鋅表面之研究
|
99
|
張孝維
/
表面能量子計算方法之探討
|
99
|
邵鵬蒼
/
利用第一原理探討氧化鋅半導體合金薄膜之電子結構與能帶工程
|
99
|
陳建舜
/
利用第一原理計算研究氫氣及氨氣在氧化鎵表面之影響
|
100
|
蕭宇岑
/
第一原理計算(AlCrTiZr)N高熵合金之彈性性質與銅擴散研究
|
100
|
廖國成
/
第一原理計算氮化鎵磊晶成長於氧化釓與氧化鈧之異質界面結構
|
100
|
周彥廷
/
氮化鎵/氧化鋁酸鋰與氮化鎵/氧化鎵酸鋰異質界面結構之第一原理研究
|
100
|
洪嘉陽
/
利用第一原理探討缺陷雙層富勒烯C60@C240儲氫結構
|
100
|
朱益民
/
第一原理計算氮化鎵與氧化鎵異質結構與氧化鎵電極電位與pH圖之研究
|
101
|
陳彥瑋
/
氧化鉺/矽異質界面結構之第一原理研究
|
101
|
王煥晨
/
以第一原理計算探討氨氣與氮化鎵(0001)及(000-1)表面之表面能研究
|
101
|
詹鈞翔
/
利用第一原理計算探討含缺陷之雙層奈米碳管(6,6)/(11,11)儲氫結構
|
101
|
林榜文
/
利用第一原理計算探討Cr2+0.25Zn0.75Te、V2+0.25Zn0.75Te及Mn2+0.25Zn0.75Te飛秒雷射與電光特性
|
101
|
林忠信
/
氧化釓異質磊晶於矽之全始算研究
|
101
|
蔡炎鉸
/
第一原理計算α-Al2O3(001)表面能研究
|
101
|
林祥淵
/
矽差排網路之全始算研究
|
102
|
楊文翰
/
氧化鎵/氮化鈦異質界面結構之第一原理研究
|
102
|
徐郁為
/
利用第一原理計算探討TMxZn1-xS(TM=Ti2+,
Cr2+, Mn2+,
Fe2+, Co2+
and Ni2+, x=0.03,
0.25)
飛秒雷射與電光特性
|
102
|
林致宇
/
利用第一原理計算探討含缺陷之碳微環C360和C420儲氫結構
|
102
|
林政鴻
/
利用第一原理計算探討TMxCd1-xSe(TM=Ti2+,
Cr2+, Mn2+,
Fe2+, Co2+
and Ni2+,
x=0.03, 0.25)
飛秒雷射與電光特性
|
102
|
張百慶
/
利用第一原理計算探討TMxZn1-xSe(TM=Ti2+,
Cr2+, Mn2+,
Fe2+, Co2+
and Ni2+,
x=0.03, 0.25)
飛秒雷射與電光特性
|
102
|
徐煜傑
/
利用第一原理探討含缺陷之雙層氮化硼奈米館(6,6)/(11,11)儲氫結構
|
102
|
葉時成
/
利用第一原理計算探討含缺陷之雙層富勒烯B24N36@B113N127儲氫結構
|
102
|
楊家銘
/
外循環滾珠螺桿迴流路徑動態模擬分析
|
103
|
陳劭旻
/
利用第一原理計算探討硼碳氮三元化合物超硬合金之機械性質
|
103
|
吳彥儒
/
利用第一原理理論計算研究氧化鈷/鈷介面的磁性結構
|
103
|
楊景旭
/
氯化鉻在閃鋅礦結構硫化鋅(111)及烏采結構硫化鋅(0001)表面全始算研究
|
103
|
王鈺憲
/
硫化鋅/氟化鈣異質介面結構之第一原理研究
|
104
|
傅智雍
/
氮化鎵/石墨烯/矽基板異質界面結構界面能之第一原理研究
|
104
|
雷文騰
/
利用第一原理計算研究類氮化矽結構之硼碳氮化合物機械性質
|
104
|
吳禹衡
/
利用第一原理計算研究鎳鐵合金/錳介面的磁性結構
|
105
|
史展維
/
探討CHx (x = 1-3)分子在β-SiC(111)表面上對於鑽石成長之第一原理研究
|
105
|
蘇偉中
/
第一原理計算研究Diamond/β-SiC之異質結構用於切削工具
|
105
|
楊奕科
/
第一原理計算探討化學機械平坦化製程中三唑分子作為銅腐蝕抑制劑之吸附研究
|
105
|
簡呈宇
/
利用第一原理理論計算探討銀與銅薄膜相轉變機制
|
105
|
莊子廣
/
第一原理計算探討應力誘發ZnGa2O4/Al2O3異質界面與薄膜結構特性研究
|
105
|
許廷晏
/
第一原理計算研究類藍絲黛爾石結構硼碳氮化合物之機械性質
|
105
|
林毅欣
/
第一原理計算研究 bc8 結構硼碳氮化合物之機械結構
|
105
|
陳瑩豪
/
第一原理計算探討銅腐蝕抑制劑於氧化亞銅表面用於化學機械平坦化
|
106
|
李宗哲
/
第一原理計算研究氮對鑽石薄膜成長之影響
|
106
|
江奕鋐
/
第一原理計算探討二氧化氮與硫化氫分子對於氧化鋅鎵(111)表面之功函數變化用於氣體感測器
|
106
|
謝宇軒
/
第一原理計算鈣鈦礦CsPbBr3及CsPbI3拓樸絕緣體研究
|
107
|
王鼎元
/
第一原理計算NO2與H2S吸附於含有Pd原子之ZnGa2O4(111)表面其功函數變化用於氣體感測器
|
107
|
謝蘇建升
/
第一原理計算探討鎵(鋅)摻雜氧化鋅(氧化鎵)之原子結構
|
107
|
張晏誠
/
第一原理計算探討Cu2SnTi3三元化合物原子結構
|
107
|
施柏均
/
第一原理計算探討垂直電場對於二銻化鎢之能帶變化用於金屬氧化物場效應電晶體
|
107
|
洪煜昇
/
第一原理計算鹼土化合物SrSn2和BaGe2拓樸絕緣體研究
|
107
|
白哲安
/
第一原理研究CO吸附於純淨及含Pd原子之ZnGa2O4(111)
|
108
|
吳宇軒
/
利用材料基因學習法來預測異質介面晶體結構
|
108
|
曾彥睿
/
第一原理計算探討銻參雜氧化鋅之電子結構與缺陷形成能
|
108
|
吳博恩
/
第一原理計算探討Co3-xCrxAl
(x =0,1,2,3)哈斯勒化合物的異常或爾效應研究
|
108
|
王韋程
/
第一原理計算探討可撓性白雲母基板原子結構與總能性質研究
|
108
|
張循
/
脈衝雷射沉積法製備氧化鎵鋅薄膜與深紫外光感測器之應用
|
108
|
蔡旻勳
/
第一原理研究CO2吸附於純淨及含Pd原子之ZnGa2O4(111)表面功函數變化用於氣體感測器
|
109
|
傅景督
/第一原理研究鋁摻雜氧化鋅鎵之電子結與缺陷形成能
|
109
|
洪敦儒
/
第一原理研究O3吸附於ZnGa2O4(111)表面之功函數變化用於氣體感測器
|
109
|
陳宇軒
/
第一原理計算ε-Ga2O3和κ-Ga2O3薄膜成長與分析
|
109
|
張乃仁
/InGaN發光二極體製程開發與微型顯示應用
|
109
|
陳瑩豪
/
|
110
|
湯益誠
/
第一原理計算探討SnO2(100)及NiO(111)磊晶生長特性和表面能
|
110
|
戴嘉葦
/
利用材料基因方法結合自動化工作流程構建並預測異質結構數據資料庫
|
110
|
陳以哲
/
利用深度學習方法來預測和分析
NO、NO2、CO、CO2、H2S和O3氣體分子吸附於ZnGa2O4(111)表面模型真空能階
|
110
|
邵至弘
/
第一原理計算探討一氧化氮對於ZnGa2O4(111)表面之功函數變化用於氣體感測器
|
110
|
林禹丞
/
利用第一原理研究H2O吸附於ZnGa2O4(111)表面之功函數變化並建構氣體吸附基板數據資料庫用於氣體感測器
|
110
|
林英翔
/
HiPiMS製程中脈衝偏壓對提升二元及三元鈦系與鉻系氮化物機械性質之研究
|
110
|
呂家哲/第一原理研究CO在潮濕環境中吸附於ZnGa2O4(111)表面之功函數變化及吸附能用於氣體感測器
|
110
|
徐紘睿/
|
110
|
陳庠定/
|
110
|
朱晟維/第一原理計算H2S吸附於ZnGa2O4(111)表面其功函數變化及吸附能用於氣體感測器
|
110
|
蕭鈞
/第一原理計算探討二氧化氮吸附於ZnGa2O4(111)表面之功函數變化及吸附能用於氣體感測器
|
110
|
張凱俊
/
稀土基RXMnZ(R
= Lu, Yb; X = Fe, Co,
Ni;
Z = Si, Ge, Sn)四元哈斯勒合金的電子、磁性和機械性能的第一原理理論研究
|
110
|
陳冠名
/
使用第一原理理論計算在稀土基四元哈斯勒合金中尋找磁性材料:以RXCrZ(R
= Lu, Yb; X = Fe, Co,
Ni;
Z = Si, Ge, Sn)為例
|
110
|
楊承曄/
|
110
|
曾詠譯
/
基於稀土的RXVZ哈斯勒畫合物作為純自旋級化電流
: 從頭算的理論研究(R
= Yb,Lu; X =
Fe,Co,Ni; Z = Si,Ge,Sn)
|
110
|
王裕祥/
|
111
|
林彥丞
/
第一原理計算Bi2O2X(X
= Se、S和Te)(001)/SrTiO3(001)異質界面結構
|
111
|
張生沅
/
第一原理計算探討一氧化氮吸附於SnO2(110)表面其功函數變化及吸附能用於氣體感測器
|
111
|
蘇冠澄
/
第一原理計算磷摻雜β-Ga2O3電子能帶結構及缺陷行成能
|
111
|
謝翔宇
/
機器學習預測NO、NO2、CO、CO2和H2S氣體分子吸附在ZnGa2O4(111)表面之費米能階
|
111
|
沈浚宏
/
離子佈植對磷化鋁銦鎵微型發光二極體特性之影響研究
|
111
|
陳彥儒
/
利用MOCVD在不同基板上製備氧化鎵薄膜及其元件應用
|
111
|
李俊憲
/
第一原理計算探討RXVZ
(R = Fe, Co, Ni; X
= Cu; Z = Sn, Sb)等原子四元哈斯勒化合物的異常霍爾效應研究
|
111
|
蔡譯霆
/
|
111
|
林澤彬
/
第一原理計算探討二氧化氮吸附於SnO2(110)表面之功函數變化及吸附能用於氣體感測器
|
111
|
陳宏棋
/
|
111
|
張晉誠
/
第一原理計算探討硫化氫份子對於SnO2(110)表面之功函數變化用於氣體感測器
|
112
|
王子維
/
|
112
|
謝秉叡/
|
112
|
仇俊凱
/
|
112
|
陳冠宇
/
|
112
|
徐郁智
/
|
112
|
吳東翰
/
|
112
|
羅翔駿/
|
112
|
柳昱誠
/
|
112
|
徐銘旺
/
|
112
|
余俊賢
/
|
112
|
張翼鵬
/
|
113
|
張中維
/
|
113
|
郭益均
/
|
113
|
沈朝証
/
|
113
|
魏文鼎
/
|
113
|
陳金城
/
|
113
|
陳柏勳
/
|
113
|
林堃霖
/
|
113
|
羊柏安
/
|